【材料】南京航空航天大学Angew：硼烯纳米片的合成与各向异性忆阻行为

文章预览

神经形态计算以其并行计算能力和低功耗为特点，已成为推动人工智能发展的关键技术。然而，由于传统存储设备的性能限制、高功耗和有限的可靠性，神经形态计算的发展面临巨大障碍。二维材料，如石墨烯、硼烯等，作为高性能的忆阻材料已被广泛研究，但此前的报道并未深入探索二维材料的各向异性忆阻行为，从而限制了存算一体电路设计的灵活性，因此进一步研究二维材料的忆阻行为相当必要。 在众多二维材料中，硼烯由于具有独特的物理化学特性，从而吸引了广泛关注。2015年，南京航空航天大学台国安教授团队首次报道了在铜箔表面生长的γ- B 28 硼单层结构（ Angew. Chem. In. Ed . 2015 , 54 , 15473-15477），随后美国阿贡国家实验室和美国西北大学课题组以及中科院物理研究所研究团队在单晶银表面制备了二维硼单层（硼烯， Science 2015 , 350 , ………………………………