刘云圻/魏大程团队《Adv. Mater.》：提出自锚定范德华堆叠生长机理 - 实现过渡金属二硫族化合物纳米片的阵列生长

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点击上方 “ 蓝字 ” 一键订阅 过渡金属二硫族化合物（ Transition-metal dichalcogenides, TMDs) 作为范德华（ van der Waals, vdW ）层状材料的重要成员，过去十几年来受到研究人员的广泛青睐。目前，大量研究集中于单层 vdW 材料的合成，相比而言，纳米片有着单层晶体所缺乏的独特 性质 ，包括丰富的离子通道，大量的活性位点，高载流子密度以及较大的光谱响应范围等。然而，由于 vdW 材料缺少面外化学键，使得相邻层之间的作用力极弱，进而导致厚层纳米片的化学气相生长存在较大挑战。此外，传统化学气相输运或化学气相沉积法（ Chemical vapor deposition, CVD ）一般是基于气 - 固 - 固（ Vapor-Solid-Solid, VSS ）机理，高扩散性的气态源往往会导致随机形核及晶体随机生长，使得所得晶体在电子或光电等要求阵列器件的应用中受到极大限制。 复旦大学高分子科学 ………………………………