下一代功率晶体管

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对于高压控制，氮化铝将难有敌手。 过去十年里，半导体领域里最大的事件之一就是传统硅在电力电子领域黯然失色，碳化硅（SiC）和镓氮化物（GaN）占据了数十亿美元的市场份额。随着这些新材料在重要领域的应用，自然而然地出现了一个问题：下一代新的功率半导体会是什么材料？ 人们的注意力集中在了镓氧化物、金刚石和氮化铝（AlN）上。这些材料都有着显著的特点，以及阻碍其在商业上获得成功的根本性弱点。不过，在2023年12月于旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上，名古屋大学报告了相关技术进步，现在氮化铝的前景有了很大的改观。 在IEDM上，名古屋大学的研究人员介绍了一种基于氮化铝合金的二极管制造方法，这种二极管每厘米能够承受7.3兆伏的电场，大约是碳化硅或氮化镓的2倍。值得注意的是，这种器件传导电流的电阻 ………………………………