西湖大学林效SMTD：锂离子插层诱导倾斜竖立生长的二维非层状Cr₂S₃纳米片的金属-绝缘体转变

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研究背景： 二维材料因其物理性质丰富性、种类多样性以及在纳米电子器件领域的广阔应用前景而备受关注。其中，二维层状材料（ LMs ）的薄层样品可通过多种途径获取，如机械剥离和化学气相沉积（ CVD ）等方法。相比之下，二维非层状材料（ NLMs ）作为二维材料库的重要补充，由于不具备层间易于分离的特性，其制备更多依赖于 CVD 等方法。然而，现有的 CVD 方法生长的二维 NLMs 通常与基底间形成强化学键结合以及紧密的面接触，限制了对材料的本征物理性质的揭示，也妨碍了在器件制备环节中必要的材料转移操作。另一方面，二维 LMs 能够通过门控离子插层技术，在其范德华间隙内嵌入离子，从而引发新奇的相变，实现对其物理性质的调控，而这一策略在二维 NLMs 中难以实施，原因在于 NLMs 结构中缺失范德华间隙，限制了通过离子插层手段 ………………………………