2024, Nano Letters——二维材料中的钾离子插层：从结构转变到超导发现

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04134             摘要 将客体离子插入层状材料的范德华间隙是创造新材料相和新功能的有效途径。离子门控是一种控制离子运动和配置的技术，适用于插层和表面静电掺杂。 离子门控的进步使我们能够 原位探测 离子扩散、载流子掺杂和输运特性的动态过程。在本研究中，我们对单晶MoS₂进行了钾离子（K ⁺ ）插层的原位电阻率和拉曼实验，并构建了温度-载流子密度的相图。 K ⁺ 插层引发了从三棱柱配位相到八面体配位相的结构转变，观察到了各向异性的三维超导态以及可能的电荷密度波状态。 本文中的离子门控展示了插层相的全面视角，并证明了静电诱导的超导性不同于插层相中的超导性。 创新点： 钾离子插层引发的结构相变 ： 研究通过离子门控实现了钾离子在MoS₂中的插层，诱导出从三 ………………………………