专栏名称: 旺材芯片
Hey!希望可以帮你提取业内最新鲜,最有价值的信息!持续为你生产半导体行业技术干货、新闻动态、市场分析等优质内容。
今天看啥  ›  专栏  ›  旺材芯片

DDR6内存标准即将初步敲定:最高速率可达21Gbps

旺材芯片  · 公众号  ·  · 2024-05-23 16:43
    

文章预览

5月22日消息,虽然DDR5内存才刚刚成为主流,但是标准组织 JEDEC 早已经开始筹备下一代标准DDR6的制定工作,并于近日正式披露了DDR5一些规格上的展望规划。 DDR4内存的频率一般在1400-3200MHz,DDR5提升到了4000-8400MHz,DDR6内存预计起步就是8800MHz,最高可达17.6Gbps,甚至有希望推进到21Gbps。 对于DDR6内存的信号调制技术,到底采用PAM还是NRZ,目前还在讨论阶段,初步意见倾向于NRZ——PCIe 6.0就已经从NRZ改成了PAM。 除了DDR6内存之外,面向移动设备的LPDDR6内存的部分规格也被曝光,其最高速率可以达到14.4Gbps,与现在的LPDDR5X相比提升了50%。 JEDEC希望能够在今年内完成DDR6以及LPDDR6内存标准的初稿,随后由厂商来反馈和提交修改。预计在2025年第二季度推出1.0正式版,随后厂商就可以根据JEDEC组织提供的内存标准设计和生成DDR6/LPDDR6内存的生产,预计正式商用还需 ………………………………

原文地址:访问原文地址
快照地址: 访问文章快照
总结与预览地址:访问总结与预览