英特尔最新 FinFET 制程：代工战略中的关键

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芝能智芯出品 英特尔正在通过其最新的 FinFET 制程在代工市场进行重要的技术转型， 标志着该公司从自我供应的芯片制造商向代工服务提供商的过渡，旨在满足高性能数据中心客户的需求。 Part 1 英特尔工艺的关键创新 在最近的超大规模集成电路 （VLSI） 研讨会上，英特尔详细介绍了其最新的“Intel 3”制造工艺。与之前的“英特尔 4”工艺相比，Intel 3-PT工艺在相同功耗下性能提升了 18%。 虽然 FinFET （鳍式场效应晶体管） 技术自 2011 年推出以来已被广泛采用，最后一代使用 FinFET 结构的产品，标志着向更先进技术的过渡。 Intel 3 工艺的重要特征之一是引入了偶极功函数金属 （DFM） ， 它允许芯片设计人员选择不同阈值电压的晶体管。阈值电压 （VT_TT） 决定了晶体管开启或关闭的水平，对于芯片的整体性能至关重要。 工艺可以在单个芯片上实现四 ………………………………