主要观点总结
文章介绍了二维过渡金属硫化物（2D TMD）异质结材料的重要性以及合成挑战。湖南大学段曦东教授团队报道了铵辅助CVD合成2D TMD垂直异质结的普适性方法，该方法具有出色的控制能力、操作便利，并避免了一些常见问题。构筑的2D WSe 2 /WS 2 垂直异质结光探测器表现出优异的光电性能。这项研究对物理学以及电子/光电领域器件的研究有促进作用。
关键观点总结
关键观点1: 背景介绍
文章首先介绍了二维过渡金属硫化物异质结材料的重要性，以及它们在下一代电子/光电应用中的潜力。
关键观点2: 研究现状与挑战
目前，CVD化学气相沉积是制备二维过渡金属硫化物材料的最重要方法，但精确控制垂直生长异质结是非常困难的。
关键观点3: 研究亮点
湖南大学段曦东教授团队报道了铵辅助CVD合成二维过渡金属硫化物垂直异质结的普适性方法。该方法具有优异的控制能力、操作便利，能够避免层间扩散/合金化等问题。
关键观点4: 技术应用与成果
构筑的二维WSe 2 /WS 2 垂直异质结光探测器具有优异的光电性能，性能可与机械剥离/堆叠异质结光探测器相媲美。
关键观点5: 研究意义与展望
这项研究不仅促进了物理学研究，还为电子/光电领域器件的研究提供了新的思路和方法。
文章预览
二维过渡金属硫化物（2D TMD）异质结材料具有原子厚度和独特的物理性质，为下一代电子/光电应用打开了大门。CVD化学气相沉积是制备2D TMD材料最重要的方法，但是通常2D异质结界面通常在面内生长和面外生长之间竞争，因此精确控制垂直生长异质结变得非常困难。 有鉴于此， 湖南大学 段曦东 教授、 吴瑞霞等 报道铵辅助CVD合成2D TMD垂直异质结的普适性合成方法。 这种铵辅助策略具有优异的控制能力，并且具有操作方便的特点，而且能够避免层间扩散/合金化、TMD模板热分解等问题。从头计算模拟的结果发现NH 4 Cl和MoS 2 之间反应生成MoS 3 团簇，促进2D MoS 2 在2D WS 2 层之上成核与生长，因此构筑垂直的异质结。 构筑的2D WSe 2 /WS 2 垂直异质结光探测器具有优异的光电性能，性能可媲美机械剥离/堆叠异质结光探测器。这种铵辅助构筑TMD垂直异质结的策
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