分立和集成GaN解决方案的比较

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在分立GaN HEMT器件的广泛可用性之外，领先的GaN制造商还提出了集成GaN解决方案，这些集成解决方案在GaN的固有优势的基础上，有可能提供更好的性能。 在广阔的功率电子领域，如今都已经意识到了氮化镓的好处。不过，相关媒体、贸易展和会议上的各种活动，主要侧重的探讨都还是从硅MOSFET转向GaN解决方案后可以提高效率和功率。分析师则侧重增长预期，虽然各不相同，但几乎所有人都预计，从现在到2027年的复合年增长率至少为24%，有些人的估计还要高得多，尤其是在工业、消费者、电信和汽车等不同的关键细分市场。关于这些，读者的确已经知道了很多。然而除了上述这些之外，如今读者还应看到，在分立GaN HEMT器件的广泛可用性之外，领先的GaN制造商还提出了集成GaN解决方案，这些集成解决方案在GaN的固有优势的基础上，有可能提供更好 ………………………………