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导读:晶界类型和局部边界曲率通常被认为是控制晶粒生长过程中晶界迁移的重要显微组织因素。本文采用 离地实验和蒙特卡罗模拟 的方法,研究了 在熔点附近1040°C退火过程中薄铜箔的晶粒生长 。在试样边缘轻微变形的刺激下,观察到少数晶粒异常生长为柱状晶粒跨越箔厚度的立方取向再结晶组织。分析了这些异常生长晶粒的晶界和邻近多晶再结晶区域的晶粒尺寸。实验结果表明, 细小再结晶晶粒分布的空间非均质性对迁移边界有显著影响 。Potts模型的模拟证实,前面有小晶粒的晶界段比前面有粗晶粒的晶界段更容易迁移。 模拟也证明了晶粒形貌的重要性 。总之, 这项工作强调了非均相再结晶微观结构对薄箔样品中异常晶粒生长的影响 。 近年来,人们对 石墨烯等二维材料 产生了浓厚的兴趣,因为它们 具有优异的机械性能、高导热性和导
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