3D NAND技术最新进展

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点击蓝字 关注我们 随着行业继续快速发展，了解 3D NAND 技术领域主要参与者的进展至关重要。 本文 深入了解来自三星， KIOXIA/WD ，美光， SK 海力士 /Solidigm, YMTC 和 MXIC 等行业巨头的最新 进展。 三星一直处于 3D NAND 领域创新的最前沿。他们已经 将 V7 过渡到双层结构，并引入 COP 集成以提高性能。随着 V8 236L 1Tb TLC 产品的发布，三星展示了其推动技术 向前发展的承诺。与其他主要竞争对手类似，未来 三星已经计划推出搭载 280L COP V-NAND 和混合键合技术的 V9 。 为了保持 BiCS 结构， KIOXIA 和 WDC 一直致力于提高层数。随着 BiCS 第八代 218 层和后续版本的计划， KIOXIA 展示了其致力于推进 NAND 技术的决心。 美光向 CTF CuA 集成的转变使 其 能够通过发布 176L 和 232L 产品来引领市场。他们还在开发 Gen7 ，可能跳过 300 层节点，瞄准 400 层设备，展示了他们对未 ………………………………