【材料】大化所杨学明院士和于淼教授团队PNAS：半导体表面合成方面的重要进展

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近日， 中国科学院大连化学物理研究所杨学明 院士和 于淼 教授团队在半导体表面精准合成方面取得重要进展。针对氧化物半导体表面热催化活性有限难以触发高能垒反应以及高扩散势垒和缺陷丰富的挑战，该团队提出了 将氧化物从惰性支持基底转变为高催化性平台的策略，可控调制表面反应活性和分子吸附与迁移，实现了具有长度和宽度扩展性的石墨烯纳米带的精准合成 ，为氧化物半导体表面直接合成低维功能性纳米材料开辟了道路。相关论文发表于 Proceedings of the National Academy of Sciences （《美国国家科学院院刊》）。 于淼 教授和 杨学明 院士为共同通讯作者，博士生 鄂文龙 为第一作者。 图1. 氧化钛基底调制获得不同的表面偶极和环化脱氢的催化反应活性 合成具有原子精度的单原子层功能纳米结构对于开发新一代电子、光子、自旋、量子和 ………………………………