下一代CFET晶体管，首次展示！

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c ba nk）编译自imec，谢谢。 本周，在 2024 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会 (2024 VLSI) 上，imec 首次展示了具有堆叠底部和顶部源/漏极触点的电气功能 CMOS CFET 器件。虽然结果是从正面图案化两个触点获得的，但 imec 还展示了将底部触点形成移至晶圆背面的可行性——将顶部器件的存活率（survival rate）从 11% 显著提高到 79%。 CFET 器件是 1nm 以下下一代工艺技术的关键竞争者。这是两个堆叠在一起的晶体管，每个晶体管的栅极长度为 18nm，栅极间距为 60nm，n 和 p 器件之间的垂直间距为 50nm。在测试载体上演示了电气功能，nFET 和 pFET 器件使用共用栅极，顶部和底部触点从正面连接。 Imec 的逻辑技术路线图设想在 A7 节点设备架构中引入互补场效应晶体管 (CFET)。当与先进的 ………………………………