新型设备技术将成为AI时代扩展到1000层 3D NAND的关键

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本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS ）编译自 eetasia 云端和边缘人工智能计算的持续进步将在未来至少二十年内推动对更快、更高容量存储的巨大需求。 几十年来，NAND FLASH 技术一直是低成本、高密度数据存储的主要解决方案，彻底改变了从 USB 驱动器到服务器的市场。非易失性 2D 或平面 NAND FLASH 内存在最初几十年一直是固态存储行业的主力。从平面 2D 到 3D NAND 的转变始于上个十年初，当时云计算和智能手机蓬勃发展。 自 2014 年三星第二代 32 字线层出货、2013 年推出首款商用 24 字线层 128 Gbit 芯片以来，3D NAND 已成为最突出的非易失性存储器。经过几年的时间才获得正确的成本/容量比，之后 3D NAND 成为大多数计算应用中事实上的内存架构。 云端和边缘计算在训练和推理生成式 AI 模型方面的持续进步，加上通过智能手机摄像头生成的高质量用户内容 ………………………………