氮化镓芯片商英诺赛科考虑赴港IPO，与中金、招银国际进行合作，融资规模约3亿美元

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独角兽早知道 iponews ｜资讯撬动新资本｜ 据路透社旗下IFR报道，中国氮化镓(GaN)芯片制造商英诺赛科(Innoscience)正考虑最早今年来香港进行IPO，融资规模约3亿美元。报道指英诺赛科正与中金公司、招银国际就上市一事进行合作。 综合 | 路透社 智通财经 公开资料 编辑 | Echo 本文仅为信息交流之用，不构成任何交易建议 英诺赛科于2015年成立，设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。 目前，英诺赛科拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月1.5万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。 据介绍， 英诺赛科 已经成为氮化镓快充芯片龙头，还推出全球首颗进入手机的氮化镓芯片并实现客户端量产 ………………………………