有机半导体，又一篇Nature！

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▲  第一作者：Masaki Ishii 通讯作者：Yu Yamashita 通讯单位：日本国立材料科学研究所，日本东京大学 DOI：10.1038/s41586-023-06504-8     研究背景 通过掺杂来精确控制费米能级和载流子浓度对半导体器件至关重要。为控制半导体的电子特性，必须对费米能进行高精度调整--室温下的热能约为 25 meV，带缘附近的热能超过几百毫电子伏特。杂质掺杂是在半导体硅中引入百万分之一浓度的掺杂原子。在有机半导体（OSCs）中引入掺杂分子进行化学掺杂，通过溶液工艺制造出各种结构的先进光电器件和材料。化学掺杂基于半导体分子和掺杂分子之间的氧化还原反应。掺杂水平的控制可通过半导体分子和掺杂分子之间的能级排列和结构混合来实现。例如，随着分子结构中氟原子数目的增加，四氰醌二甲烷衍生物的掺杂强度也会增加。然而，仅从有限的掺杂剂分子中 ………………………………