中科院，Nature +1！

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【做计算 找华算】 理论计算助攻顶刊，50000+成功案例，全职海归技术团队、正版商业软件版权！ 经费预存选华算，高至16%预存增值！ 由原子级薄材料组成的二维(2D)结构，由于其高载流子迁移率，一直被研究作为未来晶体管的候选材料。 然而，由于缺乏合适的高质量电介质，二维场效应晶体管(FETs)尽管具有优越的物理和电学性能，却无法实现其全部理论潜力和优势。 在此，来自 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 的 田子傲 & 狄增峰 等研究者展示了作为二维场效应晶体管(FETs)高质量顶栅电介质的原子级薄单晶Al2O3(c-Al2O3)的制备方法。相关论文以题为 “Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors” 于2024年08月07日发表在 Nature 上。 成果介绍 随着硅(Si)场效应晶体管(FETs)在缩放方面接近基本极限，新一代半导体通道被需要来减少短沟 ………………………………