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本工作室建立了微信群 促进同学们之间的交流学习并有效讨论问题,可通过添加编辑微信进群。 1.编辑微信:1)FEtunan(微信号)2)18600648928 2.工作室提供:二维材料生长及器件制作;科研绘图技巧;二维相关报告或会议推送;二维读博导师推荐、课题组招聘需求等 欢迎大家投递中文的工作宣传稿及广告,具体联系微信:FEtunan(微信号) 卡内基梅隆大学 Xu Zhang、 Sheng Shen 等人 发表了题为“Physical Vapor Deposition of High-Mobility P‑Type Tellurium and Its Applications for Gate-Tunable van der Waals PN Photodiodes ”的工作在ACS Appl. Mater. Interfaces期刊 上。 本文介绍了一种基于基底工程的物理气相沉积(PVD)方法,用于合成高质量的 高迁移率p型碲(Te)纳米片 。通过这种方法, 研究人员实现了1450 cm²/(V·s)的场效应空穴迁移率,这是迄今为止已知的二维p型半导体中的最高值
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