【专利】北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布；基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”公布；

主要观点总结

本文报道了北方华创、基本半导体和一微半导体三家公司的专利公布或获授权情况。北方华创公布了一种腔室清洁方法及半导体工艺设备专利；基本半导体公布了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法专利；一微半导体获得了一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统专利。此外，文章还提及了半导体行业的其他热点新闻。

关键观点总结

关键观点1: 北方华创公布“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利

该专利包括在工艺腔室中的静电卡盘满足电荷清洁的触发条件时，控制挡板移出工艺腔室，以及自动执行电荷清洁，提高了静电卡盘中残余电荷的清洁效率。

关键观点2: 基本半导体公布“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利

该专利涉及碳化硅基集成SBD和SGT器件的制备方法，包括生长碳化硅外延层、注入杂质、刻蚀形成沟槽等步骤，解决了现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题。

关键观点3: 一微半导体获得“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利

该专利涉及n倍脉宽扩展电路及锁相环系统，包括脉宽传递序列模块、延时阵列模块、或逻辑组模块等，可根据信号脉宽扩展需求调节相应脉宽扩展倍数，保证了锁相环系统的稳定性。

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1.北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布 2.基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布 3.一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权 1.北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布 天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为CN119050039A。 本申请提供了一种腔室清洁方法及半导体工艺设备，该方法包括在工艺腔室中的静电卡盘满足电荷清洁的触发条件时获取挡板的当前状态，并基于挡板的当前状态以及工艺腔室的第一目标状态确定挡板满足移出条件时控制挡板移出工艺腔室，以在工艺腔室的当前状态达到第一目标状态时控制工艺腔室执行电荷清洁，电荷清洁用于中和静电 ………………………………