1.55µm VCSEL

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    众所周知，VCSEL一般主要应用于850nm的短距光通信，在1550nm波段实现比较困难，最主要原因是在InP的三元四元化合物体系中找不到合适的材料形成DBR反射层，其次在1550nm应用中需要激光器的发光功率达到>10mW量级，而VCSEL一般是 < 5mW左右，因此需求没那么大。今天看到Technische Universitaet Darmstadt在2011年发表的文章，还是感觉到很震惊。他们通过制作MEMS结构形成DBR反射层，实现了102nm的单模可调谐。     其结构如下图所示：     1、底部DBR由3.5对AlF3/ZnS组成 λ0/4膜系， ∆n ≈1, 形成>99.5%反射。     2、掩埋隧道结，半径7um，正好处于高斯光束束腰位置，实现基模和增益谱完美重合，高阶模提供不了增益，提高SMSR。由两个高参杂晶格匹配的p+AlGaInAs and n+GaInAs组成。     3、有源区，通过MBE生长，整个激光器等效腔长约4.x um，能够保证在>100nm的单 ………………………………