青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备

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对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益。因此，SiC晶圆走向8英寸是业界公认的发展趋势。SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本显著降低，实现高效地将过剩的传统生产力转化为新质生产力。 近日，青禾晶元通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得了重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。 8寸N型SiC复合衬底 青禾晶元集团是国际上少数掌握全套先进半导体衬底键合集成技术的半 ………………………………