ALD（原子层沉积）与ALE（原子层刻蚀）的区别解析

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1. 核心概念与原理 ALD（Atomic Layer Deposition） ： 原子层沉积是一种 逐层生长薄膜的工艺 。 每个循环通过“自限性反应”，将化学前体逐层吸附并反应，沉积一个原子层的材料。 目标 ：构建具有高均匀性、无缺陷、埃级厚度精度的薄膜。 ALE（Atomic Layer Etching） ： 原子层刻蚀是 逐层去除材料的工艺 。 每个循环分两步完成，首先激活表面化学，然后物理去除一个原子层。 目标 ：在不损伤材料的基础上，实现纳米级的精准刻蚀。 2. 工艺流程对比 工艺步骤 ALD ALE 第一步 前体吸附到材料表面形成单分子层 表面化学活化，生成易刻蚀的修饰层 第二步 引入第二种前体，与吸附层发生化学反应，生成单原子薄膜 使用低能等离子体或离子轰击，选择性移除表面修饰层 自限性 化学反应自限于表面，沉积速率受限于前体反应性 去除厚度自限于表面修饰层的厚 ………………………………