先进封装：硅通孔TSV之绝缘层、粘附层和种子层及未来发展方向（10275字）

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点击上方 蓝字 关注我们，看更多行业报告 并将 “材料汇” 设为“星标⭐”，第一时间收获最新推送 写在前面 一直在路上，所以停下脚步，只在于分享 分享内容包括： 新 材料/ 半导体 / 新能源/光伏/显示材料 等 正文 涉及材料及工艺： ——绝缘层： （1）无机介质绝缘层材料：二氧化硅、硅烷（SiH4）和正硅酸乙酯（TEOS）；（2）聚合物绝缘层材料：酚醛环氧、丙烯酸酯改性环氧、酚醛、有机硅、PI、PBO、BCB、Parylene；（3）PVD、SACVD、PECVD、喷涂、旋涂或纳米喷涂技术、PVPD、电接枝技术 ——粘附层/扩散阻挡层： 黏附层一般选择Ti、TiW等材料；扩散阻挡层一般选择Ti、Ta、TiN、TaN等材料；工艺涉及磁控溅射、化学镀和原子沉积技术 ——种子层： 主要为铜种子层，材料为高纯铜靶材和铜合金靶材。工艺涉及磁控溅射、化学镀和原子沉积技术、湿法工 ………………………………