摩尔定律再进化，2纳米之后芯片如何继续突破物理极限

主要观点总结

文章主要讨论了集成电路行业的摩尔定律及其面临的挑战，包括物理限制和技术挑战。文章介绍了新技术如台积电展示的异质集成技术、晶体管技术的演进、新材料的应用等可能为未来芯片技术的发展带来答案。文章还提到了集成电路行业的前景和展望。

关键观点总结

关键观点1: 摩尔定律的本质和面临的挑战

摩尔定律是预测集成电路行业发展的经验之谈，但面临物理限制和技术挑战，如短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题。

关键观点2: 新技术的发展

台积电展示的异质集成技术、晶体管技术的演进如VTFET和Forksheet器件结构等，可能为未来芯片技术的发展带来突破。

关键观点3: 新材料的应用

新材料对于维持制程演进至关重要，如高k材料、金属栅极和新型沟道材料等，有助于解决传统材料的物理限制和技术挑战。

文章预览

点击蓝字 关注我们 提到集成电路行业，那么永远绕不过一个名词，就是摩尔定律。但摩尔定律只是经验之谈，本质是预测，并非什么物理层面的约束。 十年前，当14纳米工艺首次亮相时，整个半导体行业似乎正处于一个转折点。当时，许多专家和分析师已经开始质疑摩尔定律——这一预测芯片性能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续，也让人们对未来芯片技术的发展前景产生了怀疑。 当时间来到2024年，等效3nm已经商用，而2nm甚至1nm都已被提上日程，未来十年，摩尔定律又将走向何处呢？一些新技术或许会给我们带来答案。 1、3D 异质集成 在2023年12月的国际电子 ………………………………