北京大学团队在半导体领域取得重大突破！

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线上技术交流（扫码报名） 北京大学研究团队近期发表了全球首创2D低功耗GAAFET晶体管成果，并且是首款无硅芯片，比英特尔和台积电最新3纳米芯片快40%，能耗还低10%！ 这一划时代成果2月14日发表在《自然-材料》上，被誉为"迄今为止速度最快、能耗最低的晶体管"，有望帮助中国实现芯片技术的"换道超车"，彻底重塑全球半导体产业格局。  该团队由彭海林与邱晨光领导的多学科专家组成，相关论文已发表于 《自然》 （Nature）期刊，部分团队成员称这一发现堪称划时代的突破。团队已成功制造出论文中所描述的晶圆级多层堆叠单晶2D GAA结构。 彭海林指出，这款晶体管是目前速度最快、效率最高的。他形象地比喻道：“如果基于现有材料的芯片创新可视为一条‘捷径’，那么我们开发基于二维材料的晶体管，就相当于‘换道超车’。”据该团队透 ………………………………