北大彭练矛院士、邱晨光团队Nat. Electron.：基于二维晶圆的钇掺杂相变欧姆接触工程

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传统硅基技术在亚3 nm节点接近其物理极限，亟需新的半导体材料来实现集成电路的进一步缩放。二维半导体凭借其原子级超薄结构和高迁移率优势，能够在超短沟道晶体管中实现优异的静电控制和开态特性，被视为亚1 nm技术节点芯片的潜力材料，受到全球领先半导体企业和研究机构（如英特尔、台积电、三星和欧洲微电子中心）的高度关注。然而，二维晶体管面临严重的金属-半导体接触费米能级钉扎效应，极大制约了器件的性能。因此，如何实现二维半导体和金属电极的欧姆接触是制备高性能弹道晶体管的关键因素。此外，目前国际上展示的高性能二维晶体管多基于机械剥离或厘米级的二维单晶，如何基于晶圆级二维半导体实现高性能晶体管的规模化制备，是推动二维电子学从实验室走向工业应用（Lab-to-Fab）的核心挑战。 图1. Nature Electronics ………………………………