400层NAND，将要来了

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： icb ank）编译自wccftech，谢谢。 SK Hynix 的目标是在 2025 年底开始量产 400 层 NAND，而 321 层 NAND 则将于 2025 年上半年投入生产。 对更高存储容量的需求永无止境，SK Hynix 似乎正致力于通过其新计划打破纪录，为未来的存储驱动器准备 400 层 NAND。Etnews报道称，该公司希望在 2025 年底前开始批量生产这种 400 层 NAND，并希望在 2026 年上半年过渡到全面生产。 然而，创建这种高层 NAND 的过程非常复杂，需要多种键合技术。SK Hynix 已经开始审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术可以通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。 整个过程需要几个步骤，例如电池结构设计（侧重于每层电池的排列）和堆叠。然后通过清洁和涂上薄层 SiO2 和 Si3N4 来准备硅 ………………………………