主要观点总结
SK Hynix计划于2025年底开始量产400层NAND，同时321层NAND将于2025年上半年投入生产。该目标实现将依赖于混合键合技术，通过该方法将存储单元和外围电路分开制造后再结合，以降低损坏风险。SK Hynix面临的技术挑战包括高温高压下的制造问题，该公司正在审查新材料并研究相关技术以应对这些挑战。全球内存巨头如三星和美光也在提高NAND芯片的层数。此信息由半导体行业观察编译自Wccftech。
关键观点总结
关键观点1: SK Hynix的目标是在未来存储驱动器中准备400层NAND。
该公司计划使用混合键合技术来实现这一目标，该技术涉及制造存储单元和外围电路并在单独晶圆上结合。
关键观点2: 混合键合技术的实施面临技术挑战。
随着NAND层数的增加，高温和高压导致损坏外围电路的问题加剧，因此公司正在寻找解决方案以应对这些问题。
关键观点3: 全球内存巨头也在提高NAND芯片的层数。
例如，三星和美光也在积极开发更先进的NAND技术，以提高存储容量。
关键观点4: SK Hynix正计划改变供应链以适应混合键合技术的实施。
该公司正在寻找新的键合材料和技术，以支持其混合键合技术的实施，并预计在明年上半年实现全面量产。
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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： icb ank）编译自wccftech，谢谢。 SK Hynix 的目标是在 2025 年底开始量产 400 层 NAND，而 321 层 NAND 则将于 2025 年上半年投入生产。 对更高存储容量的需求永无止境，SK Hynix 似乎正致力于通过其新计划打破纪录，为未来的存储驱动器准备 400 层 NAND。Etnews报道称，该公司希望在 2025 年底前开始批量生产这种 400 层 NAND，并希望在 2026 年上半年过渡到全面生产。 然而，创建这种高层 NAND 的过程非常复杂，需要多种键合技术。SK Hynix 已经开始审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术可以通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。 整个过程需要几个步骤，例如电池结构设计（侧重于每层电池的排列）和堆叠。然后通过清洁和涂上薄层 SiO2 和 Si3N4 来准备硅
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