主要观点总结
本文全面回顾和展望了市场上用于当前和下一代电力电子的碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管，讨论了它们之间的材料特性和结构差异，以及最新的技术进展和关键特性。文章还回顾了 GaN 和 SiC 器件的当前和未来应用领域，并报告了与这两种技术相关的主要可靠性方面。最后，概述了这些材料在不同领域中的前景，并指出了未来可能的改进和发展。
关键观点总结
关键观点1: 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管的特性
SiC 和 GaN 晶体管因其高效、稳健和功率密度高的特性而受到关注，适用于高电压和高功率应用。
关键观点2: 技术进展和关键特性
GaN 和 SiC 晶体管在功率转换拓扑、效率、开关频率和尺寸等方面具有优势，但存在不同的可靠性挑战。
关键观点3: 应用领域
SiC 器件在汽车市场得到广泛应用，而 GaN 通常用于消费电子和充电器的电源转换，未来有望进入更多领域。
关键观点4: 可靠性挑战
GaN 和 SiC 晶体管在阈值电压偏移、动态导通电阻增加、击穿机制等方面存在挑战，需要进一步优化和研究。
关键观点5: 未来展望
GaN 和 SiC 技术将在未来共存，每个技术都侧重于特定的应用，通过混合转换器、性能优化和创新工具的使用，实现更高的效率和可靠性。
文章预览
👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 编者按 在本文中，我们对市场上可用于当前和下一代电力电子的碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管进行了全面的回顾和展望。首先讨论了 GaN 和 SiC 器件之间的材料特性和结构差异。基于对不同商用 GaN 和 SiC 功率晶体管的分析，我们描述了这些技术的最新进展，重点介绍了优先功率转换拓扑和每个技术平台的关键特性。 文中，我们还回顾了 GaN 和 SiC 器件的当前和未来应用领域。本文还报告了与这两种技术相关的主要可靠性方面。对于 GaN HEMT，描述了阈值电压稳定性、动态导通电阻和击穿限制，而对于 SiC MOSFET，分析还侧重于栅极氧化物（gate oxide）故障和短路 (SC) 稳健性。 最后，我们概述了此类材料在不同领域中的前景。并指出了这两种技术未来可能的改进和发展。强调了混合转换器（hybrid converter
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