SiC和GaN，现状与展望

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 编者按 在本文中，我们对市场上可用于当前和下一代电力电子的碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管进行了全面的回顾和展望。首先讨论了 GaN 和 SiC 器件之间的材料特性和结构差异。基于对不同商用 GaN 和 SiC 功率晶体管的分析，我们描述了这些技术的最新进展，重点介绍了优先功率转换拓扑和每个技术平台的关键特性。 文中，我们还回顾了 GaN 和 SiC 器件的当前和未来应用领域。本文还报告了与这两种技术相关的主要可靠性方面。对于 GaN HEMT，描述了阈值电压稳定性、动态导通电阻和击穿限制，而对于 SiC MOSFET，分析还侧重于栅极氧化物（gate oxide）故障和短路 (SC) 稳健性。 最后，我们概述了此类材料在不同领域中的前景。并指出了这两种技术未来可能的改进和发展。强调了混合转换器（hybrid converter ………………………………