新突破！南京大学余林蔚教授NML：基于可生长集成纳米线沟道的高性能GAA-FET器件问世

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【做计算 找华算】 理论计算助攻顶刊， 50000+ 成功案例，全职海归技术团队、正版商业软件版权！ 开学季钜惠来袭，电催化计算首单7折！ 随着半导体技术的不断发展，芯片制造工艺逐渐逼近物理极限。为了满足未来高性能计算和3D集成的需求，科学家们正在积极探索新型晶体管架构。近日，南京大学余林蔚教授团队在《Nano-Micro Letters》上发表了一篇重要论文，报道了他们在高性能环绕栅极场效应晶体管（Gate-All-Around Field-Effect Transistors, GAA-FETs）领域的突破性进展。这项研究首次实现了基于催化生长硅纳米线（SiNW）沟道的高性能GAA-FET器件，为下一代半导体技术开辟了全新路径。 创新技术 催化生长硅纳米线与GAA架构的完美结合 传统的GAA-FET通常依赖于昂贵且复杂的EUV（极紫外光刻）或EBL（电子束光刻）技术来定义超细硅通道。然而，这些方法不仅 ………………………………