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实现过渡金属氧化物半导体中的有效载流子分离对于其在光电和催化装置中的应用至关重要。然而，空穴和电子之间迁移率的巨大差异严重限制了器件的性能。 鉴于此， 中南大学 刘敏教授 与慕尼黑纳米研究所 Emiliano Cortés教授 开发了 一种通过金属空位(VM)管理降低空穴有效质量来增强空穴迁移率的通用策略 。 V M 的引入显著提高了空穴迁移率：WO 3 为430%，TiO 2 为350%，Bi 2 O 3 为270% 。 为了说明这一发现的重要性，他们将V M 概念应用于光电化学水分解，其中高效的载流子分离是人们所迫切需要的。特别是， V M -WO 3 将光电流效率提高了4.4倍，小型和大型光电极的性能均为4.8mAcm -2 ，并且超过120小时的非常出色的稳定性 。相关研究成果以题为“Metal vacancies in semiconductor oxides enhance hole mobility for efficient photoelectrochemical water splitting”发表在最新一期《Natur ………………………………