“超越EUV”时代：拍瓦级铥激光器有望大幅提升芯片制造效率

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在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等问题。近日，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布正在研发一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），这一技术有望大幅提升芯片制造效率，开启“超越EUV”的新时代。 研发背景 当前的EUV光刻系统采用二氧化碳激光器作为光源，其功耗极高，低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV光刻系统的功耗分别高达1,170千瓦和1,400千瓦。 这种高能耗主要源于EUV系统的工作原理：高能激光脉冲以每秒数万次的频率蒸发锡滴（50万摄氏度），形成等离子体并发射13.5纳米波长的光。这一过程不仅需要庞大的激光基础设施和冷却系统，还需要在真空环境中进行以避免EUV光被空气吸收。此外，EUV ………………………………