英飞凌追加起诉英诺赛科

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作者： 黄莺 2024年7月24日，IP Fray最先报道了德国芯片厂商 英飞凌 在与中国氮化镓龙头 英诺赛科 的美国专利侵权诉讼中，于2024年7月23日修改了其起诉内容，其中最主要的是起诉英诺赛科的专利数量由之前的1件专利，增加到4件专利。 在此之前， 2024年3月13日，英飞凌（奥地利子公司）向 美国加利福尼亚北区地方法院 起诉英诺赛科侵犯其一项 美国专利 US9,899,481 ，该专利涉及 一种横向晶体管装置和具有源感应功能的软件包，例如安装在表面贴装器件 (SMD) 中的横向高电子迁移率晶体管 (HEMT)，封装可提供源感应功能，以排除寄生源电感，而这种寄生源电感会导致在开关速度较高时，能量损耗可能会增加。 原始起诉书中，英飞凌指控英诺赛科复制了其专利技术，并给出对比图示。例如，英飞凌认为英诺赛科的被控产品包括将源极焊盘（57）耦合到管芯 ………………………………