FoCoS/2.5D interposer SIPI电性能对比

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当前，大多数计算系统需支持Tbyte/s级带宽以满足高性能接口需求，例如物联网、人工智能及自动驾驶应用。为适应大数据分析趋势，半导体集成封装技术的太字节带宽产品开发至关重要。此类超高密度封装的首个应用场景是高性能计算（如GPU），其结构通常包含ASIC芯片和多个HBM芯片，通过扇出或硅interposer连接（图1）。    图1：FoCoS与2.5D interposer结构对比 2.5Dinterposer结构通过硅interposer连接同质或异质芯片的微间距焊盘，以提升单芯片封装的数据计算能力与带宽。目前，已有多个基于2.5Dinterposer的产品成功量产。重分布层（RDL）工艺是另一种用于设计精细线路的组装技术。早期RDL仅用于低引脚数的晶圆级封装，以实现芯片引脚重分布。随着扇出封装中凸点工艺的发展，以及扇出型封装堆叠（FOPoP）、扇出型系统级封装（FOSiP）和集成式基板扇出芯片 ………………………………