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点击蓝字 关注我们 为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291; 2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件); 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号) 成果介绍 2D过渡金属硫族化合物(TMDCs)被认为是用于下一代逻辑电路的有前途材料。顶栅场效应晶体管(FET)具有独立的栅极控制能力,可以直接在TMDC材料上制造而不需要转移过程。因此,它具有器件可靠性和CMOS工艺兼容性的优点,这是实际电路级集成所需要的。然而,顶栅FET的制造涉及在TMDC沟道材料上依次沉积绝缘介电层和栅极,这可能会影响器件的性能。深入研究不同顶栅沉积方法
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