之江实验室/浙大匡翠方教授团队AFM：高灵敏阳离子型双光子光刻胶

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双光子激光直写光刻（TPL）是一种强大的纳米制造技术。TPL利用光刻胶的非线性吸收特性，在飞秒激光曝光下实现超精确曝光控制，能够以亚微米分辨率直接增材制造具有悬垂特征的复杂“真实3D结构”。TPL技术在高通量功能微器件制造中的产量仍无法与UV光刻相媲美。其中， 高灵敏度的光刻胶对于实现高通量TPL至关重要。 迄今为止， 经典的 SU-8 环氧光刻胶系列 由于具有高深宽比、低收缩和无氧抑制的优点，仍然是最流行的阳离子光刻胶 。 然而，阳离子基光刻胶的TPL打印速度较慢，制造分辨率较低。 阳离子引发剂通常是对200-300 nm紫外光敏感的鎓盐类光致产酸剂（PAG）。开发用于高速纳米制造的阳离子光刻胶的关键挑战在于解决紫外光（390-405nm）波段内光致产酸剂的低双光子吸收率和低能量转移效率问题。 实现高光敏性的传统方法依赖于增强鎓 ………………………………