有奖电源小课堂 | 第三代半导体材料及PI 1250V高压氮化镓芯片详解

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▲  点击上方 蓝字 关注我们，不错过任何一篇干货文章！ 硅材料一直是半导体器件中最主要的材料基础，但正在逐渐达到其物理极限。在某些领域限制了配备硅功率组件的设备的紧凑程度，在非常高的电压、温度和开关频率下，GaN与硅相比具有更优越的性能，而全球领先的电源管理元件和方案的供应商PI公司推出高压GaN器件更适用于工业和家电类的应用需求，有助于实现高紧凑度的反激式电源设计。本视频简要介绍第三代半导体材料以及PI公司推出的1250V PowiGaN器件及其性能优势。 Jacky Yu ，本硕均毕业于西安交大微电子专业，深耕半导体芯片行业十几年，半导体器件及芯片设计方向经验丰富，知乎、b站、公众号等自媒体精准粉丝五万。 活动时间 ： 即日起—9月30日 参与方式： 扫描下方二维码，进入活动页面即可参与。 活动说明 1.认真观看活动页 ………………………………