学技术 | 系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析

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点击蓝字 关注我们 *本论文摘要由PCIM官方授权发布 / 摘要/ 本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiC MOS开关开通时的过流机理，以及开通电流振荡的原因。除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外，本文还讨论了系统设计中寄生电容对开通电流应力、电流振荡和开通损耗的负面影响。 1. 导言 随着SiC技术的发展和电力电子行业的增长，SiC器件越来越受到工程师们的青睐。主要半导体制造商正在开发从平面栅到沟槽栅的各种器件[1,2]。这主要是由于碳化硅作为一种宽禁带半导体，具有较低传导损耗的优势。这使得高压MOSFET和高压SiC肖特基二极管的产品化成为可能。 2. 开通电流过冲 传统的PN结二极管具有反向恢复效应，而肖特基结构的单极理论中不存在这种效应[3,4]。然而，在实际应用中，当电流在SiC MOS和SiC肖特基二 ………………………………