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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202402855 摘要 大规模、高质量和均匀的单层二硫化钼（MoS 2 ）薄膜对下一代电子和光电子器件的应用至关重要。外延生长是实现高质量MoS 2 薄膜的主流技术，并已在4英寸晶圆级规模上得到验证。在本研究中，报道了在蓝宝石上外延生长具有优异空间均匀性的8英寸晶圆级高度取向的单层MoS 2 ，采用特别设计的垂直化学气相沉积（VCVD）系统。基于8英寸晶圆级单层MoS 2 薄膜的场效应晶体管（FET）表现出优异的性能，平均迁移率为53.5 cm² V⁻¹ s⁻¹，开关比为10⁷。此外，还展示了批量制造的逻辑器件和11级环形振荡器，展示了出色的电学功能。这项工作为MoS 2 在实际工业规模应用中铺平了道路。 研究背景和主要内容 2D 半导体因其独特的物理和化学性质而在下一代电子和光
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