科学家开发氮化镓互补逻辑电路，p沟道晶体管电流高达23mA/mm，为AI服务器电力管理提供新技术路径

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近年来，随着人工智能的快速发展，AI 算力中心的能耗急剧上升，电力供应也面临巨大压力。 此前， 特斯拉 创始人兼 CEO 埃隆·马斯克曾对 AI 所面临的瓶颈做出预测。他认为，AI 第一个阶段的瓶颈在算力芯片，而下一阶段的瓶颈将是电源管理。马斯克指出，“电力供应可能将不足以为越来越多的 AI 芯片供电。” AI 服务器集群的电力管理问题亟待解决，而电源管理系统占据算力中心可观的空间，严重限制了算力服务器的算力密度提升。 近期，北京大学 沈波 教授和 魏进 研究员团队的一项研究为解决电源管理芯片的瓶颈提供了新的思路，也为未来 AI 算力中心的电力管理提供了新的技术路径。 他们提出了一种极化增强电离技术，通过极化电场诱导受主完全电离，显著提高了氮化镓（GaN）基 p 沟道场效应晶体管（p-FET，p-channel Field Effect Transistor）的载 ………………………………