AFM：光亮高效钙钛矿发光二极管的VA组掺杂ZnO注入层

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杂原子掺杂ZnO电子注入层（EIL）被广泛应用于高性能量子点和钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的制备，而va族原子掺杂剂的研究较少。 在这里， 北京大学Yongqiang Ji、长三角光电科学研究院Jiang Wu及利亚德光电有限公司Changjun Lu等人 将具有强金属性的VA铋（Bi）作为替代掺杂剂来调节ZnO前驱体的胶体大小，表面末端和缺陷密度。作为制备的bi掺杂ZnO (ZnBiO) EIL显示了增强的电导率，钝化的陷阱状态，更多的n型性质，以及与FAPbI3 （FA: formamidinium）的适当带对齐，有助于平滑的注入路径和最小的传输损失。 通过抑制ZnBiO的羟基终止，FAPbI 3 晶体生长成具有更高结晶度和面积厚度比的扁平纳米柱结构域，获得了22.3%的最高PeLED效率，684 W sr−1 m−2的高近红外辐射，以及近一个数量级的运行稳定性，这显示了ZnBiO作为经典ZnMgO之外的各种LED应用场景的最佳EIL的巨大前景 ………………………………