北京大学朱瑞等人AM：7.64%红外微 PeLED用于钙钛矿微光电子学的横向相异质结

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钙钛矿异质结工程是制造微光电器件的先决条件，但仍然是一个缺陷，目前的自上而下或自下而上的技术主要集中在制备垂直异质结堆栈。钙钛矿横向异质结结构一般依赖于外延生长，无法满足微器件大规模生产的需求。 在这里， 北京大学Xiaoyu Yang，王新强和朱瑞等人 提出了一种接触扩散光刻技术，通过离子驱动的局部相变来展示钙钛矿侧相异质结 （LPH） 多晶膜。在热力学模拟的指导下，甲胺接触和迁移共同促进了被δ相多晶型物包围的α相甲脒基钙钛矿图案的原位形成。α相和δ相之间的自发 I 型异质结对准在 LPH 膜中建立了能量漏斗，以促进载流子利用和辐射复合。宽带隙 δ 相还用作共面隔离器，以实现器件集成的局部防泄漏。 基于明亮稳定的 LPH 图形层，遵循常规器件制造协议，实现了具有令人印象深刻的器件性能的近红外微尺度钙钛矿发 ………………………………