北京大学FFET技术开创全球三维集成新篇章

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先进逻辑制造作为半导体工业技术的明珠，直接带动全球半导体技术发展和产业增长。在半导体技术的演进中，功耗约束下的器件微缩和集成度提升这一小一大目标始终是集成电路发展的核心。然而传统的二维平面集成方式正面临物理极限和工艺极限的瓶颈，如何实现更高密度、更低功耗、更高能效的芯片设计与制造成为半导体产业亟待解决的课题。 为此，晶体管级三维集成技术开始受到广泛的关注。这种集成方式通过在垂直方向上堆叠器件和互连，将传统的单面布局扩展至多面空间，在掩模版尺寸受限的条件下为单芯片提供了突破集成密度上限的可能。全面走向三维集成路线已经成为当前产业界的共识，但是具体的技术方案尚未统一，正处于各国技术竞争的前沿焦点。 在这样的背景下，北京大学黄如院士团队创新地提出了 FFET （ Flip FET ） [1] ………………………………