三星挺进第七代DRAM

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容 编译自businesskorea ，谢谢。 三星电子已开始建立一条测试线，以提高其第七代 (1d) DRAM 的产量，该内存是领先两代的 10 纳米（纳米，十亿分之一米）水平的存储器。此举被解读为在失去在包括高带宽内存（HBM）在内的DRAM领域的“优势”地位后，为扩大与竞争对手的技术差距而采取的先发制人的投资。 据业内人士 12 月 12 日报道。17日，三星从今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建设10纳米级第七代DRAM测试线。业界也将这条测试线称为“单路径”线。该生产线预计将于明年第一季度全面建成。 测试线是测试半导体新产品量产潜力的设施。一旦下一代芯片的性能在研发（R ）阶段得到确认，晶圆就会被引入这里，开始提高量产良率的过程。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工厂的确切规模 ………………………………