20nm技术泄密！三星前董事总经理被捕

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点击参与： 9月27日，第三届GMIF2024创新峰会邀您相约深圳！ 半导体专家、三星和 SK海力士 前高管崔振石因技术泄露罪名被捕。 半导体专家、三星电子和SK海力士前高管崔振石（66岁）因涉嫌泄露三星电子关键半导体技术20纳米DRAM工艺技术数据而被捕。此前，崔振石于去年6月被捕并被释放，罪名是窃取三星电子半导体工厂蓝图并建立20纳米DRAM半导体的“三星电子克隆工厂”。 9月5日，首尔中央地方法院负责逮捕令的金美京院长对崔振石和三星电子前高级研究员吴某进行了逮捕前的实质审查（即逮捕令审查）。审查结果显示，两人涉嫌违反《反不正当竞争法》和《商业秘密保护法》。基于此，金美京院长表示：“已经向他们签发了逮捕令。” 崔振石，作为半导体领域的资深专家，曾在三星和SK海力士等知名企业担任要职，其深厚的行业背景和丰富的 ………………………………