3D NAND，如何影响芯片设备？

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自thememoryguy，谢谢。 转向 3D NAND 的一个非常不寻常的副作用是它对设备市场的影响。3D NAND 减轻了光刻步骤的压力，将更多的注意力集中在沉积和蚀刻上。转向 3D 的原因是它提供了一条无需光刻微缩即可实现更高密度内存的途径。   这对 ASML、佳能和尼康等步进光刻机制造商来说是个坏消息，但对应用材料、东京电子和泛林集团等沉积和蚀刻设备制造商来说却是一个福音。   三星在该技术的介绍中解释说，该公司将使用 40nm 光刻技术以 10nm 的“有效工艺”生产 NAND。这是根据之前一篇文章中的说法得出的，即该工艺将有效地缩小层数的平方根。三星的第一款产品，也就是该声明中讨论的产品，总共 24 层，只有 16 层是内存位，其他层用作选择门等。   半导体制造商在从一代产品转 ………………………………