混合键合+高密度硅通孔，实现三层堆叠式图像传感器嵌入AI

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据麦姆斯咨询报道，法国研究机构CEA-Leti开发出了一种结合混合键合和高密度硅通孔（TSV）的新工艺，可用于在CMOS图像传感器（CIS）中嵌入人工智能（AI）。 将人工智能整合到新一代CMOS图像传感器中，可以利用所有成像数据感知场景、了解环境状况并进行干预。 CEA-Leti开发了一种三层测试版芯片，具有两个嵌入式铜-铜混合键合界面（F2F和F2B），其中一片晶圆包含高密度TSV。 CEA-Leti在美国丹佛举行的ECTC 2024会议上展示了该技术的一些细节，该成果基于之前三片300毫米硅晶圆堆叠的研究基础。 由于智能手机、数码相机、汽车和医疗器械等具有高性能成像能力，因此对智能CMOS图像传感器的需求正在迅速成长。这种通过嵌入式人工智能提高成像质量和功能的需求，为终端设备制造商在不增加器件尺寸的情况下提高图像传感器性能提出了挑战。 CEA-Leti研究 ………………………………