文章预览
点击参与: 一揽子半导体专业会议,苏州举办!MEMS\柔性\压印\显示器件\分析测试\三代半\光电…不容错过,附参展企业名录 台积电2nm制程技术革新与成本分析 一、2nm制程技术革新:GAAFET与NanoFlex技术 台积电在2nm制程节点上实现了技术革新,首次采用了Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管。这一技术相较于传统晶体管,在性能上有了显著提升。同时,N2工艺还搭配了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了更加灵活的标准元件选择。据预计,与现有的N3E工艺相比,N2工艺在相同功率下性能将提升10%15%,或在相同频率下功耗下降25%30%。此外,晶体管密度也将提升15%,这意味着在相同面积上可以集成更多的晶体管,从而进一步提升芯片的性能和能效。 台积电2纳米晶圆细节、价格曝光! 二、2nm晶圆成本大幅上升 随着制程技术的不断进步,晶圆的生产成本也在不断
………………………………