新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，为高效能应用提供新选项

文章预览

“ 引言 TO-247-4封装的SiC MOSFET因其高速开关性能、降低的开关损耗等优势而受到市场的广泛欢迎，这种封装通过Kelvin连接减少了电源线电感对栅极驱动信号的影响，提供了设计灵活性并改善了热性能， 适用于高端服务器电源、太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动、储能和充电桩等多种应用领域 ，满足了市场对高效率和高功率密度解决方案的需求。目前爱仕特已量产21款TO-247-4封装的SiC MOSFET，电压覆盖650V—3300V。 爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了 1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET 。 这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。 ▲内绝缘型TO-247-4封装SiC MOSFET ▲内绝缘型TO-247-4 ………………………………