超越硅极限：纳米3D晶体管或成AI低功耗未来之钥

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来源：MIT News | 由超薄半导体材料制成的纳米级三维晶体管能够比基于硅的设备更高效地运行，利用量子力学特性，有望实现超低功耗的 AI 应用。图片来自 iStock。 硅晶体管在信号的放大和开关中起着关键作用，几乎在所有电子设备中都不可或缺，从智能手机到汽车无不如此。然而，硅半导体技术因一种基本的物理极限所制约，无法在低于某个电压的情况下运行。 这种极限被称为“玻尔兹曼压制”，限制了计算机及其他电子设备的能效，尤其在当前人工智能技术飞速发展的背景下，能效问题尤为突出。 为了解决硅材料的这一根本性限制，MIT 的研究人员采用一套独特的超薄半导体材料，制造出一种不同类型的三维晶体管。 他们的器件采用仅几纳米宽的垂直纳米线设计，能在远低于传统设备的电压下高效运行，同时性能媲美最先进的硅晶体管。 “这 ………………………………