主要观点总结
本文介绍了利用锂化NbSe3晶体作为平面忆阻器的电阻开关通道的研究。该工作实现了方向选择性处理，并应用于神经形态全方位运动识别，达到高达95.9%的识别准确率。文章还提供了研究背景、成果介绍、图文导读、总结展望和文献信息。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
物联网时代，神经形态器件的需求，忆阻器作为典型的非易失性存储器在神经形态计算中的潜力。
关键观点2: 成果介绍
哈尔滨工业大 学（深圳）的秦敬凯 教授团队发表题为“Orientation-Selective Memory Switching in Quasi-1D NbSe 3 Neuromorphic Device for Omnibearing Motion Detection”的工作，介绍锂化NbSe 3 晶体作为平面忆阻器的电阻开关通道的研究，并实现方向选择性处理和神经形态全方位运动识别。
关键观点3: 图文导读
提供了关于该研究的多张图表，包括材料表征、器件制备、电阻开关行为、各向异性电阻开关特性和人工神经网络运动方向识别的相关图像和数据分析。
关键观点4: 总结展望
锂化NbSe 3 晶体作为电阻开关存储器的潜在优质材料，其独特的导电丝定向形成和单片集成技术为神经形态芯片的开发提供了潜在路径。
关键观点5: 其他信息
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